鐵酸鉍(BiFeO3; BFO)薄膜被視為製作動態隨機存取記憶體最有潛力之介電材料(Dielectric Materials)，但由於鐵酸鉍薄膜之表面粗糙度(Surface Roughness)會影響記憶體之介電損失(Dielectric Loss)及漏電流(Leakage Current) ，因此運用鐵酸鉍薄膜製作記憶體前，必須了解鐵酸鉍薄膜之表面粗糙度值。傳統量測鐵酸鉍薄膜之表面粗糙度值的方法為使用掃描式電子顯微鏡(Scanning Electron Microscope, SEM)與原子力顯微鏡(Atomic Force Microscope, AFM)，然而
這些量測方法之缺點包括量測前之前置作業時間(Lead Time)長及量測速度慢。為了解決此問題，本研究發展出一套鐵酸鉍薄膜表面粗糙度光學檢測系統。研究結果顯示， y = -121.45x +212.81為預測鐵酸鉍薄膜表面粗糙度之趨勢方程式，量測角度60°為量測鐵酸鉍薄膜表面粗糙度之最佳量測角度，表面粗糙度值之最大量測誤差率可控制在2.6 % 之內。