透明導電膜的研發除了使用各種實驗方法之外,若能引入全始計算方法快速篩選適當的摻雜元素,不僅可加快研發腳步,也可節省大量實驗成本。本文利用全始計算工具,研究摻雜元素週期表I~VII 族(不包含過渡元素)於SnO2晶體,並以取代Sn 原子為主的計算。計算形成能以判斷摻雜元素是否熱力學穩定,計算電子結構以判斷SnO2晶體摻雜後的電性改變。結果發現,摻雜後結合能約略相等或低於未摻雜的元素有IIIA族的鋁(Al)、IVA族的矽(Si)、鍺(Ge)及VA族的磷(P)、銻(Sb)。從摻雜鋁、矽、鍺、磷、銻後,SnO2的態密度分析結果可以看出氧化錫摻雜磷或銻會形成n型半導體,摻雜鋁有可能形成p型。摻雜矽、鍺使能隙變寬,使更多的光通過,在薄膜太陽電池實務應用上,SnO2薄膜摻雜矽、鍺應可增加吸收太陽光的光譜區,提升光電流與光電壓而提升太陽電池的效率。摻雜銻會形成n型半導體,與實驗相當吻合。摻雜磷可能形成n 型,但少有文獻報導,本文建議可以嘗試。