透明導電膜的研發除了使用各種實驗方法之外，若能引入全始計算方法快速篩選適當的摻雜元素，不僅可加快研發腳步，也可節省大量實驗成本。本文利用全始計算工具，研究摻雜元素週期表I~VII 族（不包含過渡元素）於SnO2晶體，並以取代Sn 原子為主的計算。計算形成能以判斷摻雜元素是否熱力學穩定，計算電子結構以判斷SnO2晶體摻雜後的電性改變。結果發現，摻雜後結合能約略相等或低於未摻雜的元素有IIIA族的鋁(Al)、IVA族的矽(Si)、鍺(Ge)及VA族的磷(P)、銻(Sb)。從摻雜鋁、矽、鍺、磷、銻後，SnO2的態密度分析結果可以看出氧化錫摻雜磷或銻會形成n型半導體，摻雜鋁有可能形成p型。摻雜矽、鍺使能隙變寬，使更多的光通過，在薄膜太陽電池實務應用上，SnO2薄膜摻雜矽、鍺應可增加吸收太陽光的光譜區，提升光電流與光電壓而提升太陽電池的效率。摻雜銻會形成n型半導體，與實驗相當吻合。摻雜磷可能形成n 型，但少有文獻報導，本文建議可以嘗試。