富士通研究所(川崎市、社長村野和雄先生)將新世代電晶體材料中，備受眾人期待的奈米碳材料之一的石墨烯(Graphene)，開發出以一般半導體製程之化學氣相沉積法(CVD) 在絕緣基板上以低溫直接形成此元素的技術，這也是全世界首度成功在大基板上全面形成電晶體之技術。
以往形成石墨烯的溫度約在800至1000℃範圍，該研究所成功將溫度大幅下降至650℃後，便能夠在各種絕緣基板上直接形成石墨烯電晶體。
石墨烯是使用於鉛筆筆芯等材料的單層石墨(graphite)物質，炭元素是以六邊形網狀排列的薄片狀構造。如與矽(silcon)相比，則石墨烯擁有相當高的電子、電洞移動能力，以低電壓、低耗電的新世代電晶體材料之姿備受期待。
拜此次新開發的技術所賜，對於石墨烯電晶體之實用化，往前邁進一大步。目前計畫應用於耗電量為以往十分之一到百分之一的大型積體電路(Large scale integration，LSI)上，或是利用此LSI的資訊技術機器方面，對於節能化貢獻一份心力。
圖說：形成石墨烯電晶體之直徑75MM的氧化膜矽基板