由於對新能源的需求及環境保護的衝擊，可再生能源－太陽電池的開發日益重要。I-III-VI族多晶薄膜化合物半導體銅銦鎵硒薄膜具有很大的潛力，可開發成為大型光伏發電廠之太陽電池材料，其理由有三：1.理論上薄膜材料可以很低的價格量產，具有優勢足以與傳統的電廠競爭；2.銅銦鎵硒太陽電池已被證明具有~20% 的效率，已超過薄膜電池之目標值，並已達多晶矽（片狀）太陽電池的水準；3.其元件具有很好的長期穩定性。雖然銅銦鎵硒薄膜型太陽電池具有諸多優點，而且在歐美日受到極大的矚目及大量的投資，唯其尚未有成熟的標準製程，評估銅銦鎵硒薄膜型太陽電池開發案具有高度的風險性。也由於銅銦鎵硒薄膜型太陽電池尚未有成熟的標準製程，所以目前是切入開發的絕佳時機，因為還有機會在技術開發上做創新與創造。然而對銅銦鎵硒薄膜的基礎研究（如缺陷物理及成長機制），是提升銅銦鎵硒薄膜在太陽電池之應用的重要關鍵因素之一，本文將銅銦鎵硒薄膜之部份重要的基礎研究分二大項：銅銦鎵硒化合物薄膜之特性和銅銦鎵硒化合物薄膜之成長機制，分別做介紹。