改良式電弧離子鍍膜技術

 

刊登日期:2002/2/5
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陰極電弧離子蒸鍍法(AIP)製作薄膜之技術與其他物理氣相蒸鍍法(PVD)製程可以有較高之鍍膜速率、較高之附著性以及高密度之品質。因而此鍍膜技術已被廣泛應用於濺鍍單一種類之薄膜於各類工件表面以增加產品之品質及壽命。而對於電弧離子鍍膜技術已有許多相關之改良製程被發展出來:可應用於高品質之化合物薄膜之製作;包括有類鑽薄膜(Diamond Like Carbon Thin Films, DLC)、低金屬顆粒之TiAlN 鍍膜產品以及TiN/AlN 、ZrN/AlN 超晶格多層複合膜等。本文介紹內容包括靶座磁控設計改良、機械遮護裝置設計、磁濾管設計改良以及機械過濾裝置配合磁場導引設計之應用等。若能善用此電弧離子鍍膜製程技術之優點並有效降低金屬顆粒之數量及大小;未來將有可能在製作奈米級厚度之多層薄膜材料領域,發展出更好或更新的應用領域。但是在此必須注意外加磁場導引裝置之應用可能會引起鍍膜之化學成份偏析現象,因此必須適當設計被鍍工件試片在鍍膜腔體中能夠有均勻之旋轉運動軌跡。
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