日本曹達宣布跨足先進半導體封裝材料市場，推出具有低介電特性的新一代液態聚丁二烯(Liquid Polybutadiene; PB)材料，鎖定AI晶片3D堆疊封裝的接著材料應用，且預計於2026年度達到客戶端導入之目標。隨著半導體前段製程微縮逐漸逼近物理極限，產業正透過Chip-on-Chip (CoC)、Chip-on-Wafer-on-Substrate (CoWoS)等先進封裝技術提升晶片效能，而晶片間接著層必須兼具低介電常數、高耐熱性及優異可靠性，以降低高速訊號傳輸損耗。
日本曹達自主開發的液態聚丁二烯品牌「NISSO-PB」，採用活性陰離子聚合(Living Anionic Polymerization)製程，具有高比例1,2-乙烯基結構，可提供優異的低介電特性與銅箔接著性，過去主要應用於銅箔基板(CCL)、樹脂添加劑等用途。此次新開發進一步提升了低介電與耐熱性能，性能優於現有接著材料，並可依需求搭配環氧樹脂等材料調整配方，以滿足先進封裝快速演進的需求。此外，日本曹達亦同步開發適用於次世代CCL語生成式AI應用的新材料，在低介電、耐熱、低熱膨脹係數(CTE)及銅箔接著性間取得良好平衡，目前已完成中量試產。