日本田中貴金屬確立了一項應用於半導體晶片與電路基板接合之金凸塊(Bump)轉移的新技術。此項技術運用可製作多樣形狀金凸塊的獨家燒結金接合技術進行開發，使其能因應較以往更為複雜結構的半導體晶片與基板。對使用端而言，預期可降低製程缺陷因素並提升接合可靠度。
本次開發的技術採取適用於高密度封裝之燒結金接合技術「AuRoFUSE Preforms」所衍生的轉移方法。此製程並非直接於晶片或基板上形成金凸塊，而是先另行製作已形成金凸塊的矽製「轉移基板」。其後，在加壓與加熱條件下，將金凸塊轉移至晶片或基板上。加熱過程中金凸塊會產生收縮，使轉移基板開口部與金凸塊之間形成間隙，因此可於轉移完成後，將已轉移金凸塊的晶片或基板沿垂直方向順利分離。
在既有製程中，若對象物具有凹凸結構或通孔等複雜形狀，塗佈後的光阻厚度往往難以穩定控制，導致金凸塊高度不一致，可能會產生未與界面接觸的凸塊，或即使完成接合，也可能造成接合強度下降等問題。
新技術則改於轉移基板側塗佈光阻，避免對產品端基板施加剝離劑等處理，進而降低對基板造成損傷的風險。整體而言，此轉移技術不僅提升了複雜結構元件的接合適應性，也有助於提升高密度封裝製程的穩定性與品質可靠度。