低溫多晶矽(LTPS)技術為目前製作高性能顯示器元件中薄膜電晶體(TFT)之主要製程技術，由於LTPS薄膜之電性與LTPS製程下所得到的薄膜之微結構息息相關，因此LTPS之微結構分析就顯得極為重要。在本文中，我們針對LTPS ，開發電子背向散射繞射(EBSD)之樣品製備及分析技術，並對脈衝雷射退火(PLC)及連續波雷射退火(CWLC)兩種不同製程技術所成長之LTPS 薄膜進行微結構分析，結果顯示LTPS 薄膜在經過100秒左右之鍍碳膜處理後，可獲得相當不錯之菊池圖譜以供EBSD進行分析。在EBSD分析方面，兩種LTPS都沿著雷射退火方向形成細長條形之矽晶粒薄膜，但PLC因有較整齊一致之晶粒形狀排列及較高度之晶體從優取向，可獲得較佳之電性，其載子遷移率在N-type 時可達到293cm2/Vs ， P-type 時則為154cm2/Vs 。