大阪大學發表透過在二次元薄片狀的六方晶系氮化硼(hBN)上生長磁鐵礦(Fe3O4)薄膜的方式，製作出可在各種材料上維持其特性之可貼附性Fe3O4薄膜。
近年來，為了將與開關(Switch)元件相關之機能性材料的特性應用於穿戴式或可撓性元件，對於可貼附元件的需求不斷增加。另一方面，機能性氧化物Fe3O4具有電阻、磁化率等電/磁特性在-160℃左右發生顯著變化的特性，因此在開關元件方面的應用研究也持續推展中。然而在製作Fe3O4薄膜時，通常是在氧化鎂等硬質基材上生長薄膜，除了可用於薄膜生長的基板種類有所限制之外，從基板上剝離薄膜並將其貼附到各種場所也很困難。
此次大阪大學利用在hBN薄片上生長薄膜的方式，進而獲得原子整齊排列的高結晶性Fe3O4薄膜。此薄膜具有優異的相轉移特性，且薄膜移動、貼附至他處，相轉移特性也不會劣化。
大阪大學的研究成果可望有助於機能性氧化物薄膜的自由生長。此外，Fe3O4以外的機能性氧化物也將可應用於製作可貼附的元件，將能進一步促進機能性氧化物在穿戴式、可撓式元件領域的應用開發。