日本Nikon與東北大學利用新開發的「高水分散性氧化銦錫(ITO)奈米粒子」與低環境負荷的成膜方法「霧氣沉積法(Mist Eposition)」，成功地製造出低電阻之透明導電性薄膜。研究團隊透過溶劑熱合成法(Solvothermal Method)在粒子表面設計了突起形狀，成功地提高了ITO奈米粒子的親水性，並確認與既有製品相比，粒子能維持長期且穩定的分散。
由於使用了奈米等級ITO粒子的塗佈溶液不需要有機溶劑或界面活性劑等添加物，因此在150℃以下的低溫處理與大氣壓的環境條件下，即可製作低電阻的透明導電薄膜。此次研究團隊利用大氣壓成膜法之一的「霧氣沉積法」將ITO奈米粒子塗佈溶液在聚萘二甲酸乙二酯(Polyethylene Naphthalate; PEN)基板上，以150℃的低溫製程製作了透明導電薄膜。經測試，比電阻為9.0×10-3Ω・cm。
進一步觀察PEN基板上成膜的奈米粒子薄膜斷面後，確認與既有製品相比，擁有突起形狀的ITO奈米粒子膜呈現更緊密的配置狀態。從上述特徵可知，此次開發出的ITO薄膜是目前利用奈米粒子塗佈溶液成膜中電阻值最低的ITO薄膜，實現了與真空成膜法薄膜相近的低電阻值。
資料來源：https://eetimes.itmedia.co.jp/ee/articles/2105/24/news028.html#utm_medium=email&utm_
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