本文提出一種新的雙能障量子井製造方法，利用反應式濺鍍法成長“自組成奈米介面量子井”， 此方法沒有基板與磊晶膜晶格匹配的限制，沒有有機金屬化學氣相沈積法的環保問題，成本更低於分子束磊晶法或是有機金屬化學氣相沈積法。我們使用二次中性粒子質譜儀和ESCA進行自組成奈米介面的研究分析，並利用自組成奈米介面量子井結構設計量子穿隧二極體及量子穿隧電晶體，這些元件在電性測量上具有明確的動態負電阻特性。自組成奈米介面量子井的穿隧二極體，由穿隧電流所定義出來的量子井內第一能階大小在0.8V至1.8V，穿隧電晶體的穿隧電流變化量可以高達1萬倍，穿隧電流的峰值對谷值的比率主要在1.5至2.0之間。 Download檔案下載 加入會員 分享 轉寄 聯絡我們 延伸閱讀 奈米一維材料製造及特性研究 操控奈米世界的眼睛及手指─奈米平台技術 生物模仿合成二氧化矽奈米結構材料 從MRS Spring Meeting 2008看低介電材料、奈米晶體及仿生材料之研發... 金屬氧化鋁奈米模板應用 熱門閱讀 「10分鐘內」超急速充電技術進展有成，全固態電池最受青睞 AI在化學反應優化的應用 AI在化工製程節能應用 AI於MBR系統中之品質控制與能源優化應用：以膜絲瑕疵檢測與廢水曝氣... 國際固態電路大會 ISSCC 2025：半導體發展趨勢與記憶體運算技術探討(... 相關廠商 台灣石原產業股份有限公司 金屬3D列印服務平台 山衛科技股份有限公司 高柏科技股份有限公司 廣融貿易有限公司 正越企業有限公司 台灣永光化學股份有限公司 桂鼎科技股份有限公司 台灣大金先端化學股份有限公司 大東樹脂化學股份有限公司 志宸科技有限公司