自組成奈米介面量子井結構元件

 

刊登日期:2005/5/5
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本文提出一種新的雙能障量子井製造方法,利用反應式濺鍍法成長“自組成奈米介面量子井”, 此方法沒有基板與磊晶膜晶格匹配的限制,沒有有機金屬化學氣相沈積法的環保問題,成本更低於分子束磊晶法或是有機金屬化學氣相沈積法。我們使用二次中性粒子質譜儀和ESCA進行自組成奈米介面的研究分析,並利用自組成奈米介面量子井結構設計量子穿隧二極體及量子穿隧電晶體,這些元件在電性測量上具有明確的動態負電阻特性。自組成奈米介面量子井的穿隧二極體,由穿隧電流所定義出來的量子井內第一能階大小在0.8V至1.8V,穿隧電晶體的穿隧電流變化量可以高達1萬倍,穿隧電流的峰值對谷值的比率主要在1.5至2.0之間。

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