本文提出一種新的雙能障量子井製造方法，利用反應式濺鍍法成長“自組成奈米介面量子井”， 此方法沒有基板與磊晶膜晶格匹配的限制，沒有有機金屬化學氣相沈積法的環保問題，成本更低於分子束磊晶法或是有機金屬化學氣相沈積法。我們使用二次中性粒子質譜儀和ESCA進行自組成奈米介面的研究分析，並利用自組成奈米介面量子井結構設計量子穿隧二極體及量子穿隧電晶體，這些元件在電性測量上具有明確的動態負電阻特性。自組成奈米介面量子井的穿隧二極體，由穿隧電流所定義出來的量子井內第一能階大小在0.8V至1.8V，穿隧電晶體的穿隧電流變化量可以高達1萬倍，穿隧電流的峰值對谷值的比率主要在1.5至2.0之間。 Download檔案下載 加入會員 分享 轉寄 聯絡我們 延伸閱讀 奈米一維材料製造及特性研究 操控奈米世界的眼睛及手指─奈米平台技術 生物模仿合成二氧化矽奈米結構材料 從MRS Spring Meeting 2008看低介電材料、奈米晶體及仿生材料之研發... 金屬氧化鋁奈米模板應用 熱門閱讀 從ICSRSM 2023看碳化矽材料領域發展(上) 鋼鐵產業低碳製程技術發展趨勢 Ga2O3功率元件於電動車應用的發展(上) 高安全鋰電池材料與技術 聚焦二氧化碳再利用，推動脫化石資源依賴 相關廠商 金屬3D列印服務平台 大東樹脂化學股份有限公司 廣融貿易有限公司 台灣永光化學股份有限公司 正越企業有限公司 高柏科技股份有限公司 銀品科技股份有限公司 桂鼎科技股份有限公司 里華科技股份有限公司