日本名古屋大學與奈良先端科學技術大學院大學透過插入硫黃元素的獨特分子設計方法，成功地創造出n型有機半導體的可溶性前驅物。有機半導體是OLED、有機薄膜太陽電池等次世代電子裝置的主要構成要素，有機半導體的使用可望促進裝置的低價格化或薄型化，其中如果是使用對於有機溶媒具有優異溶解性的前驅體分子的話，就可以不再需要使用高價的真空蒸鍍裝置，利用溶液製程就可以製作出半導體膜，若再結合噴墨列印的話，則可進一步達到裝置的大面積化。
目前n型有機半導體的可溶性前驅物有限，針對於此，研究團隊關注到的是n型有機半導體分子為苝二醯亞胺（Perylene Bisimide），並透過獨家分子設計方法，合成出硫黃插入型苝二醯亞胺。取得的分子對於熱能或光能等外部刺激具有敏銳的反應性，並改變成苝二醯亞胺。活用新合成分子的獨特反應性，研究團隊成功地以溶液製程製作出擁有n型半導體層的有機場效電晶體（OFET）。此次的研究成果也提示了「硫黃元素的脫離」這項反應對於新可溶性前驅物的設計具有效果，同時也可望加速可溶性前驅物的實用化研究。