日本工學院大學與京都大學共同開發了一項可以發出200 nm以下波長之深紫外線光的半導體材料，由於可有效率地利用氧氣形成臭氧，將可望應用於利用氧化作用的殺菌或表面加工等用途。一般此範圍的紫外線是透過水銀或稀有氣體的放電取得，然而稀少性或有毒性被視為待解決的課題。利用新開發的半導體材料，將可望應用做為小型且低消耗電力之電源用途。
半導體的發光波長係由能隙(Band Gap)的大小來決定，氮化鋁鎵(Aluminum Allium Nitride)約在210～365 nm之間，因此200 nm以下波長的光線則需要開發寬能隙之半導體。而研究團隊把焦點放在理論上能發出160 nm波長的氧化鎂鋅，並製作成薄膜。雖然隨著鎂與鋅的組成比例與溫度，發光波長會有所變化，但確認在6K(絕對溫度單位)時，能達到199～244 nm的發光。發光效率在室溫環境下為2.4～11%，以單層膜而言為良好。今後研究團隊也將透過提高膜的特性，以期達到以更短波長的發光。