日本豐田合成公司將推動非汽車領域的新事業發展，針對次世代功率半導體材料-氮化鎵（GaN），計畫在2025年將「直立型GaN功率半導體」達到製品化的目標。
與目前的主流材料-矽（Si）相比，GaN具有10倍以上的耐壓性與大電力操作等特徵，且氮化鎵為製作藍光LED重要的材料之一，豐田合成以本身在LED裝置累積的技術，在2010年就已經開始次世代功率裝置的開發，且透過加工技術，在2015年成功地實現了50安培的大電流操作，並在今年6月，達成了直立型GaN功率半導體世界最高水準，1 Chip有100安培的大電流操作。
在豐田合成推動的新事業計畫中，預計在2025年要達到營業額1000億日圓的目標，其中直立型GaN功率半導體即是新領域事業的主力製品，因此該公司也積極訴求製品的高性能，期望能夠早日達到事業化的目標。
目前豐田合成也以電力交換器用途，與電源製造業者共同進行適用確認，以確立具有符合所需之特性，並同時從設計、加工等面向，進行性能的最佳化，以確保產品的長期可靠性。在與顧客的共同檢證之下，預計將在2020年代前半開始少量生產，並在2025年達到製品量產化。