日本產業技術總合研究所（AIST）與東北大學發表開發了一項氮化鎵（GaN）Micro LED的高效率化技術，研究團隊利用中性粒子束蝕刻技術（Neutral Particle Beam Etching），可抑制造成發光效率降低的加工損壞。將LED尺寸縮小到6μm，也不會降低發光效率，與既有製造方法相比，低電流密度的發光效率提高了5倍，未來可望應用於高效率、高解析度的Micro LED顯示器用途。
既有的Micro LED一般是採用感應耦合電漿（Inductively Coupled Plasma；ICP）技術在平面LED晶圓進行加工製作而成，但電漿的使用會造成LED側面缺陷產生，且隨著LED尺寸縮小，缺陷發生的比例也跟著增加，尤其是以對顯示器動作相當重要的低電流密度，有發光效率降低的問題。
研究團隊製作了4種尺寸大小不同的氮化鎵Micro LED，並對外部量子效率（External Quantum Efficiency）的電流密度相依性進行了比較。相對於一般製作方法在Micro LED尺寸到20μm以下，發光效率就會急遽降低，以中性粒子束蝕刻技術製作的Micro LED的發光效率就未顯現出與尺寸的相依性，即使尺寸大小縮小至6μm，發光效率也幾乎沒有降低。
大小6μm的Micro LED發光效率（電流密度5A∕平方公分）約是一般製作方法的5倍，以解析度換算的話，可望達到擴增實境∕虛擬實境（VR∕AR）用途之頭戴式顯示器（HMD）所必需之2000 ppi以上的高解析度影像。
在此項開發計畫中，產總研利用中性粒子束蝕刻技術製作氮化鎵奈米構造，東北大學則是從事以低損傷方式進行半導體材料蝕刻之技術開發。雖然此次採用的是藍光LED晶圓，但為了實現全彩Micro LED顯示器的開發，將持續推動綠色、紅色Micro LED的製作。