日本情報通信研究機構(NICT)與東京農工大學的研究團隊利用功率半導體熱門材料-氧化鎵(Gallium Oxide)開發了電晶體(Transistor)。氧化鎵基板由東京農工大學製作，而NICT則試作出電晶體。該團隊利用將氮離子壓入厚度約5μm氧化鎵層的手法，製作出電晶體動作的構造，並已確認其性能。
通常電晶體是結合具有p型與n型電氣特性的半導體製作而成，然而氧化鎵較難以進行p型的製作。雖然已有以氧化鎵試作電晶體的實例，但加熱使薄膜結晶成長與反覆蝕刻卻相當費時費工。而研究團隊認為，若非做到如使用矽般的製造技術的話，將無法達到實用化，因此致力開發適於量產，以離子注入製作n型與p型構造的方法。雖然目前仍有特性不易使用的課題待解決，但研究團隊已朝向產業實用化方向持續進行改善。