日本產業技術總合研究所在與富士電機、住友電氣工業、豐田汽車、東芝、三菱電機的共同研究中，利用碳化矽(SiC)開發了次世代型電晶體(Transistor)構造，是一項可望使用於電動車(EV)電力轉換系統之1.2 kV耐電壓等級的縱型超接合面(Super Junction)結構的金屬氧化物半導體場效電晶體(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor；MOSFET)。經過實證，確認可達到SiC電晶體之世界最小導通電阻(On-resistance)，且具有優異的高溫特性與動力特性，未來將可望促進電力系統的小型化、效率化，甚至於新電力系統的開發。
產總研應用了獨家的SiC電晶體製作技術，因此成功地高精度形成窄節距(Narrow Pitch)之超接合面構造，實現低導通電阻之溝槽式閘極型(Trench Gate) MOSFET。經過MOSFET高溫特性與動力特性的評估，可知在175℃時，不具超接合面構造為6 mΩcm2，而有超接合面構造則降低至3.86 mΩcm2。此外，窄節距超接合面構造以及低導通電阻MOSFET的兩項效果之下，耐壓1170V的導通電阻為0.63 mΩcm2，達到了同等耐壓等級之SiC- MOSFET世界最小導通電阻。