日本富士通與富士通研究所日前成功實現到氮化鎵(GaN)電晶體高功率輸出化，在結晶結構的電子供給層與電子行走層間插入高抵抗的氮化鋁鎵(AlGaN)隔離層，同時達成大電流化與高電壓化，為過去的3倍之高。研究團隊針對GaN高電子遷移率電晶體(HEMT)進行測定，1mm閘極寬可達到全球最高輸出功率19.9W(過去的3倍)。
此外，利用該研究團隊於2017年開發的單結晶鑽石基板接合技術，可有效地讓電晶體內部放熱，以達到穩定運作。亦適用於氣象雷達等功率放大器(Power Amplifier)，使雷達的觀測範圍擴大約2.3倍，可望提早發現造成豪雨的積雨雲。富士通計畫將研究結果應用於氣象雷達等雷達系統、次世代5G無線通訊系統的開發，並期在2020年付諸實用化。