能提高太陽能電池效率的關鍵晶片技術

刊登日期:2014/8/11
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日本產業技術綜合研究所太陽能發電工學研究中心,開發出能提高多接面矽薄膜太陽能電池(PV)效率的關鍵晶片技術。目標為數年後,整體模組要達到與現有的矽晶PV同等級的光電轉換效率。
 
在非晶矽層的部分使用獨家製膜技術,單接面光穩定化後的效率達到世界紀錄同水準的10.11%。在微結晶矽層的部份,開發出蜂巢紋理結構,同時寫下10.97%的世界最高紀錄。今後將結合這些重要技術,加速PV的高效率化。希望將來能以16-18%為目標,對量產作出貢獻。目前主流的結晶矽系列基板厚200微米,而矽薄膜PV的非晶矽層僅有0.3微米,微結晶層僅有1.5微米,僅數微米的厚度就可發電。但是,矽薄膜PV的問題在光電轉換效率低。非晶矽藉著抑制光劣化;微晶矽PV則藉著光封閉構造試圖增加光吸收量來改善性能。
 
該研究中心為了抑制非晶矽PV的光劣化現象,開發了獨家製膜技術。使用三極真空管型電漿CVD法,成功的形成了光吸收層。微結晶矽PV為了加強光吸收,一般使用凹凸構造的紋理基板。該中心更進一步開發了蜂巢紋理基板,在微結晶矽PV上試作的結果,以單接面測試,達到了世界最高的光電轉換效率。
 
資料來源: 化學工業日報 / 材料世界網編譯   
 
 

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