全球首度以非晶矽製造之高效率N型有機電晶體

刊登日期:2014/3/17
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日本山形大學與宇部興產公司共同開發出可溶於有機溶媒的全新N型有機半電晶體。新材料的電子移動度超過3cm2/Vs,並且為全球首度成功地在空氣中以印刷法製作N型有機電晶體。

雖然N型材料遇水及氧有劣化的疑慮,因此即使被用於電子元件上也很難維持電子特性,但山形大學研究團隊以改變分子構造設計解決了劣化問題,製作有機CMOS回路時需使用4個P型材料,但若採用N型材料只需要2個,可實現電子回路高集積化,並且省下一半的耗電量。

藉由此新技術便能夠以價格低於結晶矽等無機材料製品之際,生產更輕量柔軟的積體電路(IC),以及應用於RFID tag、可撓式感測器、可撓式面板等領域。目前研究團隊除了正在進行電晶體元件構造最佳化以及CMOS電路試作之檢討作業外,也嘗試進一步改善新材料的移動度與溶解性,並以更容易使用之有機半導體為目標進行分子構造改良計畫。

資料來源:
1. 日經產業新聞
2.
http://www.ube-ind.co.jp/japanese/news/2013/20140218_01.htm


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