訪神谷利夫˙服部励治~談IGZO TFT的產業應用與前景

刊登日期:2014/1/5
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以銦鎵鋅氧化物(IGZO)為代表的金屬氧化物半導體,近幾年來成為全球矚目的材料。以IGZO做成的銦鎵鋅氧化物薄膜電晶體(IGZO TFT)具有高ON遷移率(a-Si:H的20~50倍)與高OFF電阻(a-Si:H的100倍,LTPS的1,000倍)兩大特性,應用於顯示器時,具有高精細(畫素數量增為4倍)、低耗電(原有的1/5~1/10)與高觸控靈敏度(S/N比增為5倍)等優點。使用IGZO TFT的顯示器目前以中小尺寸為主,並已正式商品化,主要應用於筆電、平板電腦與手機等產品上,而大尺寸的IGZO TFT顯示器亦將逐一問世。除了顯示器之外,IGZO的其他應用也陸續出現,例如記憶體、微處理器和微機電(MEMS)顯示器等。IGZO展現的優勢與應用潛力實不容小覷。

有鑑於此,台灣顯示器產業聯合總會(Taiwan Display Union Association; TDUA)於2013年11月底舉辦了一場金屬氧化物研討會(Metal Oxide Workshop),並邀請到兩位重量級的日本學者—東京工業大學的神谷利夫教授與九州大學的服部治教授蒞會演講。神谷教授研究金屬氧化物(含IGZO)多年,在相關領域已發表大約300篇論文,這回以「a-IGZO TFT的現狀與技術」為題,針對IGZO有深入的介紹。另一位演講者服部教授則專精於有機發光二極體(OLED)顯示器,以「主動矩陣式有機發光二極體(AMOLED)的驅動技術」為題,對其驅動技術、驅動元件(包括氧化物TFT)有精闢的探討。演講會後,工業材料雜誌承明新科技大學顧鴻壽教授之引介與協助,專訪了兩位教授,由訪談中可一窺日本在IGZO TFT的最新進展與產業趨勢,茲彙整如次,俾供關心此議題的讀友參考。


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