以銦鎵鋅氧化物(IGZO)為代表的金屬氧化物半導體，近幾年來成為全球矚目的材料。以IGZO做成的銦鎵鋅氧化物薄膜電晶體(IGZO TFT)具有高ON遷移率（a-Si:H的20~50倍）與高OFF電阻（a-Si:H的100倍，LTPS的1,000倍）兩大特性，應用於顯示器時，具有高精細（畫素數量增為4倍）、低耗電（原有的1/5~1/10）與高觸控靈敏度（S/N比增為5倍）等優點。使用IGZO TFT的顯示器目前以中小尺寸為主，並已正式商品化，主要應用於筆電、平板電腦與手機等產品上，而大尺寸的IGZO TFT顯示器亦將逐一問世。除了顯示器之外，IGZO的其他應用也陸續出現，例如記憶體、微處理器和微機電(MEMS)顯示器等。IGZO展現的優勢與應用潛力實不容小覷。
有鑑於此，台灣顯示器產業聯合總會(Taiwan Display Union Association; TDUA)於2013年11月底舉辦了一場金屬氧化物研討會(Metal Oxide Workshop)，並邀請到兩位重量級的日本學者—東京工業大學的神谷利夫教授與九州大學的服部治教授蒞會演講。神谷教授研究金屬氧化物（含IGZO）多年，在相關領域已發表大約300篇論文，這回以「a-IGZO TFT的現狀與技術」為題，針對IGZO有深入的介紹。另一位演講者服部教授則專精於有機發光二極體(OLED)顯示器，以「主動矩陣式有機發光二極體(AMOLED)的驅動技術」為題，對其驅動技術、驅動元件（包括氧化物TFT）有精闢的探討。演講會後，工業材料雜誌承明新科技大學顧鴻壽教授之引介與協助，專訪了兩位教授，由訪談中可一窺日本在IGZO TFT的最新進展與產業趨勢，茲彙整如次，俾供關心此議題的讀友參考。