高頻基板用光澤銅箔及其表面處理技術
■ 技術簡介
有鑑於目前全球電子設備高頻化的趨勢，尤其在5G 基地台，物聯網，雲端運算等產業需求，促使資通訊產品走向高速、高頻、高容量的無線傳輸。高頻銅箔基板由超低介電樹脂材料與超平坦銅箔所組成；為了降低導體損耗必須將低銅箔表面粗糙度，但會面臨抗撕強度不足的問題，表面電鍍奈米等級銅瘤及矽烷耦合劑提高抗撕強度但不提高表面粗糙度。
■ 技術特色
► 生箔光澤度 >600(60°)
► 銅瘤 <100nm
► 具優良電性
► 有效提高抗撕強度
■ 技術成果
► 銅箔廠或鍍銅相關廠
塗佈型PTFE基板材料
■ 技術簡介
PTFE 基板隨著高頻通訊應用的發展在市場上的需求也與日俱增，其運用於高功率、訊號低損耗、低雜訊或較嚴苛的使用環境，例如衛星降頻器、汽車防撞雷達等。傳統無玻布型PTFE 基板採輾壓成型後再與銅箔高溫壓合，輾壓型PTFE 厚度最低125μm，如需更薄的厚度，就需採塗佈製程。本技術針對不同應用的需求，可設計不同Dk 的PTFE 基板配方。
■ 技術特色
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► PTFE 厚度≤ 125μm
► 可針對不同的應用設計 Dk
► 水性塗佈液
► Dk、Df 均勻性佳
► 一般塗佈製程就能製造
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■ 技術成果
用於高頻基板—無粗化銅箔之底漆層技術
■ 技術簡介
有鑑於目前全球電子設備高頻化的趨勢，尤其在5G 基地台，物聯網，雲端運算等產業需求，促使資通訊產品走向高速、高頻、高容量的無線傳輸。高頻銅箔基板由超低介電樹脂材料與超平坦銅箔所組成；由於兩材料間的接著性極差，需要一層底漆層(primer)，在不影響基板電性的前提下，提升兩者間的抗撕強度。
■ 技術特色
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► 銅箔 Rz ≤ 0.5μm
► 無粗化銅瘤
► 底漆層厚度≤ 4μm
► 具優良電性
► 有效提高抗撕強度
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■ 技術成果
甲烷裂解產氫
■ 技術簡介
一般產氫是以蒸汽甲烷重組法為之，其缺點是排放大量的二氧化碳。甲烷裂解產氫相較傳統重組產氫具有不產生額外碳排之優點，且能耗遠低於電解產氫。本院以碳觸媒催化甲烷裂解產氫，可於1000℃以下操作，且粗氣中之氫氣濃度>75%@350h-1、氫氣選擇>99%、碳純度>99wt%，並避免電漿法耗能、金屬觸媒快速失活等問題。
■ 技術特色
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► 甲烷轉化率及 GHSV
► >75% @140h-1
► >60% @350h-1
► 氫氣選擇性 >99%
► 碳純度 >99wt%
► 操作溫度 <1000℃
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■ 技術應用
► 混氫發電、高純度氫氣( 搭配PSA)
► 工業材料、建材
■ 技術成果
► 可產出不同型態的高純度碳
工研院材化所 K400 應用電化學研究室