日本產業技術綜合研究所(AIST)與東京科學大學發現了一種可望應用作為次世代記憶體的儲存級記憶體(Storage Class Memory; SCM)的新材料。SCM結合了主記憶體與儲存裝置的優點，具備即使在電源關閉後資料也不會遺失的「非揮發性」特性。而鐵電體被視為是具有發展前景的材料，其中一項則是在氮化鎵(GaN)中摻入鈧(Sc)所形成的「GaScN」。然而，既有GaScN存在耗電量高的問題。研究團隊透過提高摻入Sc的濃度，成功將耗電量降低了6成。
過往研究已知，Sc濃度越高，耗電量越低；但當濃度提升至一定程度時，材料的穩定性會降低，因此以往的濃度上限為44%。此次團隊利用統計學方法進行製程改善，成功將濃度提高至53%。不僅耗電量降低了6成，甚至在進行108次寫入操作後，性能仍未下降。今後團隊將進一步推動GaScN薄膜化的技術，並展望將其應用於可進一步降低耗電量的「穿隧接面型」記憶體。