隨著資訊產業的快速發展，對於電感器微小化、高頻化和單一晶片化（如：MMICs）的要求日益增高，高頻薄膜電感乃孕育而生。高熵合金薄膜由於本身的特點，高亂度、非晶質或奈米細晶結構、低矯頑磁場以及高電阻率，而極具高頻薄膜電感之開發潛力。透過合金設計、製程參數最佳化、膜層結構調變，經實驗證實，高熵合金薄膜在頻率3GHz操作下，其導磁率仍可維持µ>100 以上。 Download檔案下載 加入會員 分享 轉寄 聯絡我們 延伸閱讀 多元高熵合金氮化物高硬度薄膜 多元高熵合金之噴覆及噴塗成型技術開發 高熵合金的發展概況 創新合金---多元高熵合金 非晶/ 奈米晶金屬薄膜之研究與發展 熱門閱讀 國際固態電路大會 ISSCC 2025：半導體發展趨勢與記憶體運算技術探討(... IEDM 2024前瞻：鐵電記憶體技術發展與半導體趨勢解析 由2025 NEPCON Japan看低碳樹脂材料與印刷電路板製程技術與應用 日本綜合化學品製造商聚焦EUV，展望半導體材料領域 原子層沉積之應用與未來發展趨勢 相關廠商 台灣石原產業股份有限公司 金屬3D列印服務平台 山衛科技股份有限公司 台灣大金先端化學股份有限公司 大東樹脂化學股份有限公司 志宸科技有限公司