日本東京大學與富士通Semiconductor Memory Solution共同合作，開發出以1V以下極低動作電壓即可重複書寫100兆回的「Hafnia系強介電體記憶體」。研究團隊著眼於低温製程可製作的強介電記憶體HZO，在半導体製造配線工程可允許的溫度以下將HZO強介電體厚度薄化至4 nm，仍可獲得20 μC/cm2以上的極化反轉量。透過這回的薄膜化，可以0.7～1.2 V的低動作電壓換寫資料。
資料來源：https://eetimes.itmedia.co.jp/ee/articles/2106/09/news033.html#utm_medium=email&utm
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