日本Sanken Electric公司將強化其化合物半導體事業之發展，積極推動碳化矽（Silicon Carbide；SiC）、氮化鎵（Gallium Nitride；GaN）等功率半導體（Power Semiconductors）的開發。
相較於傳統矽基（Si-based）材料， SiC與GaN材料具有寬能隙特性，且絕緣破壞電界強度在10倍以上，且有降低電力傳輸或轉換時的能量損耗、轉換速度快等優點。SiC功率半導體全球市場穩健成長，以其耐高電壓與承受大電流等高效能利用特性，將可望取代矽基絕緣閘雙極電晶體（Si IGBT），且SiC也快速普及應用於電動車（EV）的馬達和變流器。另一方面， GaN在高周波、中電力等領域的應用條件更佳，可望取代矽基金屬氧化物半導體場效電晶體（Si MOSFET）。
隨著SiC與GaN市場規模的擴大，Sanken Electric計畫在2019年將SiC功率半導體製品投入市場，並展開中容量產業用變流器、空調、通訊機器、高性能伺服器等用途市場的開發。目前Si MOSFET方面，Sanken Electric正在進行1200V/100A等級之元件開發。此外在中期事業發展方面，則計畫將GaN推廣至伺服器用電源、電源調節器、數位控制電源、非接觸式供電等用途市場。另一方面，Sanken Electric也正進行驅動器內部搭載GaN功率場效應電晶體（FET）之相關研發，藉由GaN FET與驅動器IC套裝化，將可望實現小型化與低背化之封裝設計。且由於具有轉換速度的調整機能，可透過邏輯訊號來控制開關（ON/OFF）。