TDK開發出採用磁性材料的新一代半導體記憶材料「MRAM」，其最大特徵是屬於不揮發性記憶材料，即使切斷電源也能保存資料，且讀寫速度與高速記憶材料 DRAM、SRAM並駕齊驅，有助於延長攜帶型機器的電池壽命，若應用在電腦、智慧型手機、平板電腦時，啟動時間僅需 DRAM、SRAM的十分之一，可縮減待機時的耗電量。 此次試作品容量為 8MB，資料寫入速度為400奈米秒，比 NAND型 Flash Memory快 20倍，TDK的研究開發者表示，原理上應該能快100倍，預計 3年後達到實用化。 資料來源: 日經產業新聞 / 材料世界網編譯 加入會員 分享 轉寄 聯絡我們 延伸閱讀 由VLSI 2025 窺看半導體與AI運算技術的結合(下) 國際固態電路大會 ISSCC 2025：半導體發展趨勢與記憶體運算技術探討(... 國際固態電路大會 ISSCC 2025：半導體發展趨勢與記憶體運算技術探討(... IEDM 2024前瞻：鐵電記憶體技術發展與半導體趨勢解析 由ISSCC 2024看半導體發展趨勢與記憶體運算技術探討 熱門閱讀 從2025日本智慧能源週看氫能技術的最新進展 日東紡開發廢太陽能板玻璃再生纖維，拓展再利用新途徑 先進電子構裝材料研究組於高頻、高導熱、封裝與高解析電子材料技術... 《工業材料雜誌》1月刊 四十周年特刊，集結14項領域技術共同展現材料... 橡塑膠反應押出之深度學習建模優化 相關廠商 台灣石原產業股份有限公司 金屬3D列印服務平台 山衛科技股份有限公司 喬越實業股份有限公司 正越企業有限公司 桂鼎科技股份有限公司 台灣永光化學股份有限公司 台灣大金先端化學股份有限公司 大東樹脂化學股份有限公司 志宸科技有限公司