TDK開發出採用磁性材料的新一代半導體記憶材料「MRAM」,其最大特徵是屬於不揮發性記憶材料,即使切斷電源也能保存資料,且讀寫速度與高速記憶材料 DRAM、SRAM並駕齊驅,有助於延長攜帶型機器的電池壽命,若應用在電腦、智慧型手機、平板電腦時,啟動時間僅需 DRAM、SRAM的十分之一,可縮減待機時的耗電量。 此次試作品容量為 8MB,資料寫入速度為400奈米秒,比 NAND型 Flash Memory快 20倍,TDK的研究開發者表示,原理上應該能快100倍,預計 3年後達到實用化。 資料來源: 日經產業新聞 / 材料世界網編譯 加入會員 分享 轉寄 聯絡我們 延伸閱讀 從ISSCC 2023分析記憶體技術與發展趨勢 可實現於以資料為中心運算架構的HfO2-基鐵電記憶體(下) 可實現於以資料為中心運算架構的HfO2-基鐵電記憶體(上) 從2022 IEDM觀察高速運算展望與鐵電記憶體發展 將HZO強介電體薄化至4nm,以1V以下的動作電壓即可重複書寫100兆次 熱門閱讀 我國IC製造業大宗廢棄物資源化發展概況(上) 鑽石功率半導體材料,可望在電動車大放異彩 國際石化大廠在塑膠回收再利用之發展現況 全球化學產業減碳的發展方向與趨勢概論 我國IC製造業大宗廢棄物資源化發展概況(下) 相關廠商 金屬3D列印服務平台 大東樹脂化學股份有限公司 友德國際股份有限公司 喬越實業股份有限公司 方全有限公司 台灣永光化學股份有限公司 正越企業有限公司 桂鼎科技股份有限公司 里華科技股份有限公司 銀品科技股份有限公司