東京大學成功研發出世界首例TaON單結晶薄膜，TaON與氧化鈦同樣具備銳鈦礦型結晶構造，應用於透明導電膜與光觸媒，目前也在進行作為不含重金屬的顏料與光觸媒的應用研究，但現今合成的銳鈦礦型TaON當中，添加劑含有多量的無法測定電氣性質的微細粉末，東京大學研究團隊為解決試料形狀與添加劑可能產生的影響，在格子定數一致的單結晶基板上採用晶膜成長法（Epitaxial Growth）合成了厚度約40nm的銳鈦礦型TaON單結晶薄膜，此法僅會損失結晶中少量的氧與氮，可調整電子濃度並展現出良好的電氣傳導性，擁有與銳鈦礦型氧化鈦同等級的電子移動度，可應用於發光元件與太陽電池等的透明電極，或產生氫的光觸媒與半導體光電極等。