運用準分子雷射結晶技術(Excimer Laser Crystallization; ELC)製作低溫多晶矽(Low-temperature Polycrystalline Silicon; LTPS)已成為主流。目前常用於量測低溫多晶矽晶粒尺寸(Grain Size)的技術有掃描式電子顯微鏡(Scanning Electron Microscope; SEM)與高解析度穿透式電子顯微鏡(High-Resolution Transmission Electron Microscope; HR-TEM)，此兩種技術均屬於破壞性(Destructive)檢測技術及無法運用於製程線上檢測，因此研發非破壞性(Non-destructive)與製程上晶粒尺寸檢測技術即變成一個重要的研究方向。本研究運用He-Ne 雷射(λ = 632.8 nm)為檢測光源(Probe Laser)，搭配光學檢測設備，發展出一套非破壞性晶粒尺寸光學檢測技術，藉由檢測光源經過不同準分子雷射能量密度照射矽膜後圖案(Pattern)之不同熔化區域(Regime)，觀察穿透率變化與峰值強度，進而可以推測出低溫多晶矽膜之晶粒尺寸與再結晶特性。