非真空塗佈法製備I-III-VI 族化合物CuGaSe2 薄膜之研究

 

刊登日期:2009/12/5
  • 字級

最近以非真空塗佈印刷法生產銅銦鎵硒(CIGS)多晶薄膜技術又再受到極高的矚目,美國Nanosolar 公司於2009年9月宣稱已成功開發此技術,小面積轉換效率可達16.4% ,量產中型面積小模組的轉換效率平均可達11.75%,在一卷鋁合金箔可以製造100 kW的可撓式CIGS太陽電池。如果CIGS塗佈法被順利量產,此種極具成本優勢的太陽電池將可能引發產業性的重大革命。本文就I-III-VI族CIGS薄膜之部分成果,提出塗佈法銅鎵二硒(CuGaSe2)之報告,本研究使用球磨法製備含次微米Cu2Se 與Ga2S3之前驅物漿料,再將漿料塗佈於基板上製成薄膜,再置於爐管內進行快速退火處理。由研究結果發現,短時間熱處理,且不須加入硒蒸氣與硒化氫氣體之下,即可得到具有黃銅礦特性之CuGaSe2薄膜,唯碳和氧的殘留,以及孔隙度過高是常遭遇之問題。


分享