東北大學安藤康夫教授的研究團隊，成功開發出能使電腦的消耗電力下降為1/10的基礎零件。藉由磁力使電阻的變化率提高為以往的3倍。伴隨著電腦的高速化而逐漸增加的耗電問題，預計也將獲得解決。該項研究成果已發表在物理學會的英文論文電子版期刊。
開發出的零件是以磁力來改變電阻的新型強磁性穿隧接合(MTJ，magnetic tunnel junction)零件。MTJ零件是由已開始實用化的省能源型資料紀錄零件MRAM（磁性隨機存取記憶體）所構成。被稱為「磁阻變化率」的電阻只要變化率一提高，所需消耗的電力就會減少。這次，組裝入MRAM的構造中，在室溫下該變化率提高為以往的3倍。
ULVAC公司也加入合作生產MTJ零件。零件構造中會隨磁石的性質而旋轉移動的絕緣體薄膜，由以往的1片增加為2片，並將厚度1.2奈米，相當於數個原子大小的強磁性薄膜夾在其間。隨著中間較薄的強磁性薄膜以方向一致、穩定地旋轉移動，磁阻變化率因而變大（如下圖b所示）。
由於電腦中零件數的增加，消耗電力也隨之增加的問題一直存在。新開發的MTJ零件，若能與作成MRAM的計算元件組合使用的話，與既存的邏輯迴路相比，預估消耗電力可以降至10分之1以下。
圖片取自http://aramblingnote.blogspot.com/2009/08/mtj7.html
圖說：(a)目前的強磁性穿隧接合(MTJ)基本構造
(b)東北大學本次新開發的雙重穿隧強磁性接合(MTJ)基本構造