結合III-V 族與Si 的半導體技術可將III-V 優異的物理特性與Si 晶圓製程技術融合在一起，可以延續摩耳定律的壽命及提高太陽電池的效率並降低其成本，同時也可降低光收發器的成本及實現在晶粒上的光互連。此技術的關鍵是在Si基板上成長III-V薄膜之磊晶技術，本文將討論此磊晶技術的困難處及克服方法，涵蓋反相域的抑制、熱脹係數與晶格不匹配所造成的EPD問題以及一些最近的技術進展。 Download檔案下載 加入會員 分享 轉寄 聯絡我們 延伸閱讀 熱門閱讀 功率半導體元件與散熱技術 寬能隙功率半導體封裝之結構設計與互連技術挑戰 功率半導體之高導熱陶瓷基板材料技術與應用發展 廢氫氟酸轉製冰晶石有價資源化技術 諾貝爾獎加持「MOF」，夢幻材料走向產業化 相關廠商 新加坡商英彼克有限公司台灣分公司 台灣石原產業股份有限公司 Hach台灣辦事處 金屬3D列印服務平台 山衛科技股份有限公司 喬越實業股份有限公司 高柏科技股份有限公司 正越企業有限公司 廣融貿易有限公司 照敏企業股份有限公司 桂鼎科技股份有限公司 志宸科技有限公司 台灣大金先端化學股份有限公司 大東樹脂化學股份有限公司 工研院材化所 材料世界網 台灣永光化學股份有限公司