結合III-V 族與Si 的半導體技術可將III-V 優異的物理特性與Si 晶圓製程技術融合在一起，可以延續摩耳定律的壽命及提高太陽電池的效率並降低其成本，同時也可降低光收發器的成本及實現在晶粒上的光互連。此技術的關鍵是在Si基板上成長III-V薄膜之磊晶技術，本文將討論此磊晶技術的困難處及克服方法，涵蓋反相域的抑制、熱脹係數與晶格不匹配所造成的EPD問題以及一些最近的技術進展。 Download檔案下載 加入會員 分享 轉寄 聯絡我們 延伸閱讀 熱門閱讀 晶片級散熱機制簡介 從K 2025看紡織用高分子技術與發展趨勢：從物理特性到數位生命週期 循環經濟下的綠色氫能：有機廢棄物產氫技術、材料應用與永續評估 氨裂解產氫技術發展現況與趨勢 氨作為氫載體的零排放能源應用研究進展 相關廠商 新加坡商英彼克有限公司台灣分公司 台灣石原產業股份有限公司 Hach台灣辦事處 金屬3D列印服務平台 山衛科技股份有限公司 喬越實業股份有限公司 高柏科技股份有限公司 正越企業有限公司 廣融貿易有限公司 照敏企業股份有限公司 桂鼎科技股份有限公司 志宸科技有限公司 台灣大金先端化學股份有限公司 大東樹脂化學股份有限公司 工研院材化所 材料世界網 台灣永光化學股份有限公司