使用紫外光固化奈米壓印技術,製作光子晶體圖案於氮化鎵磊晶基板上,使形成光子晶體發光二極體。藉由理論分析壓印的壓力與流體分佈,配合實驗調整壓印與離模時的相關參數,可壓印出200nm的光子晶體圖案,同時最小線寬可壓印70nm的奈米圖案,並將壓印光阻圖案藉由反應性離子蝕刻轉移到氮化鎵磊晶基板上。 Download檔案下載 加入會員 分享 轉寄 聯絡我們 延伸閱讀 熱門閱讀 從2026日本奈米展看材料發展 功率半導體元件與散熱技術 高純鎵金屬循環回收技術—從二次資源提取純化到產業應用 民生用廢塑膠容器智慧辨識與分選技術之發展與實場應用 寬能隙功率半導體封裝之結構設計與互連技術挑戰 相關廠商 新加坡商英彼克有限公司台灣分公司 台灣石原產業股份有限公司 金屬3D列印服務平台 大東樹脂化學股份有限公司 台灣大金先端化學股份有限公司