使用紫外光固化奈米壓印技術,製作光子晶體圖案於氮化鎵磊晶基板上,使形成光子晶體發光二極體。藉由理論分析壓印的壓力與流體分佈,配合實驗調整壓印與離模時的相關參數,可壓印出200nm的光子晶體圖案,同時最小線寬可壓印70nm的奈米圖案,並將壓印光阻圖案藉由反應性離子蝕刻轉移到氮化鎵磊晶基板上。 Download檔案下載 加入會員 分享 轉寄 聯絡我們 延伸閱讀 熱門閱讀 從分子設計到原子級控制,半導體前段製程材料的挑戰與機會 先進封裝技術與異質整合發展趨勢分析:以TSV、CoWoS與FOPLP為例 「三高一快」的高能量快速充電鋰電池技術 由2025 NEPCON Japan看低碳樹脂材料與印刷電路板製程技術與應用 由VLSI 2025 窺看半導體與AI運算技術的結合(上) 相關廠商 台灣石原產業股份有限公司 金屬3D列印服務平台 大東樹脂化學股份有限公司 台灣大金先端化學股份有限公司