P-GaN 金屬電接觸(Metal Electrical Contact)材料之選擇對GaN 一族發光二極體(LED)及雷射(LD)之性能有重大影響。本文敘述P-GaN 金屬電接觸之基本概念並討論1999 年以後發表之各種P-GaN金屬電接觸之特性，尤其是以Ni/Au 為基本之金屬電接觸氧化熱處理後之性能以及其低接觸電阻(Contact Resistance)之原理，最後討論P-GaN 表面處理之方法以及其影響。 Download檔案下載 加入會員 分享 轉寄 聯絡我們 延伸閱讀 P-GaN 金屬電接觸（下） 我國雷射二極體工業現況 奈米探針資料儲存技術發展 記錄型光碟片產業 近場光學記錄 熱門閱讀 2026 Battery Japan-全球電池市場及技術分析 潮流發電邁向商用化，九州電力佈局離島能源新解方 3M低銥觸媒量產，推動PEM水電解低成本化與普及 從2026日本奈米展看材料發展 東北大學解明Janus 2D材料合成機制，可望加速次世代半導體開發 相關廠商 新加坡商英彼克有限公司台灣分公司 台灣石原產業股份有限公司 金屬3D列印服務平台 山衛科技股份有限公司 高柏科技股份有限公司 喬越實業股份有限公司 正越企業有限公司 照敏企業股份有限公司 台灣永光化學股份有限公司 桂鼎科技股份有限公司 台灣大金先端化學股份有限公司 大東樹脂化學股份有限公司 志宸科技有限公司