P-GaN 金屬電接觸(Metal Electrical Contact)材料之選擇對GaN 一族發光二極體(LED)及雷射(LD)之性能有重大影響。本文敘述P-GaN 金屬電接觸之基本概念並討論1999 年以後發表之各種P-GaN金屬電接觸之特性,尤其是以Ni/Au 為基本之金屬電接觸氧化熱處理後之性能以及其低接觸電阻(Contact Resistance)之原理,最後討論P-GaN 表面處理之方法以及其影響。 Download檔案下載 加入會員 分享 轉寄 聯絡我們 延伸閱讀 P-GaN 金屬電接觸(下) 我國雷射二極體工業現況 奈米探針資料儲存技術發展 記錄型光碟片產業 近場光學記錄 熱門閱讀 從2024 ICEP看國際半導體先進封裝技術 交聯乙烯-醋酸乙烯酯(EVA)材料的回收再利用策略:挑戰與前景 從CHINAPLAS 2024 看橡塑材料發展現況(上) 生質聚醯亞胺發展與光阻劑應用 聚碳酸酯(PC)化學解聚與低碳環氧樹脂開發技術 相關廠商 金屬3D列印服務平台 山衛科技股份有限公司 高柏科技股份有限公司 喬越實業股份有限公司 正越企業有限公司 照敏企業股份有限公司 台灣永光化學股份有限公司 桂鼎科技股份有限公司 台灣大金先端化學股份有限公司 大東樹脂化學股份有限公司 志宸科技有限公司