日本東北大學金屬材料研究所利用「液相金屬去合金法（Liquid Metal Dealloying; LMD）」，在800℃（1,073 K）的相對低溫條件下，成功製作出「奈米多孔β-碳化矽（β-SiC）」。SiC為具有優異耐熱性、化學穩定性及機械強度的共價鍵陶瓷，其中具有立方晶結構的β-SiC，可應用於半導體/電子材料、觸媒及能源儲存材料等領域。然而，一般SiC合成通常需要1,200℃以上的高溫製程，且難以同步進行奈米尺度之多孔結構的形成與精確控制。此次東北大學以由錳（Mn）、矽（Si）及碳（C）構成的層狀結晶體Mn₅SiC作為前驅體，在800℃熔融鉍（Bi）中進行LMD，促使Mn選擇性溶出，留下的Si-C骨架則重新組構並形成結晶性β-SiC。最終成功製作出由奈米片（Nanoplates）三維連結而成的雙連續多孔結構（Bicontinuous Porous Architecture）。
東北大學將進一步展開前驅體與生成物之間的結晶方位關係、奈米片的成長機制等解析研究，以實現多孔結構的精確控制。研究團隊亦計畫透過設計前驅體的組成與結晶構造，將過去主要應用於金屬、金屬間化合物及半金屬的LMD技術，拓展至其他陶瓷及化合物材料，為低溫製作奈米多孔陶瓷開拓新途徑。