日清紡微電子(Nisshinbo Micro Devices)確立了一項三次元封裝技術「矽基主板(Silicon Motherboard;Si-MB)」，可在矽基板的正反兩面形成電路，並將IC與被動元件整合於單一封裝。試作結果顯示，相較於採用離散元件(Discrete Components)的傳統方式，封裝面積可縮減約80%。目前小晶片(Chiplet)技術可將多個功能晶片整合於單一封裝，但因其結構主要針對IC晶片設計，較難以同步整合電阻、電容等被動元件。新開發的Si-MB技術則兼具被動元件整合與高負荷環境下的耐久性，具備「可在矽基板上搭載功能晶片」、「可透過晶圓製程於基板內形成電晶體與電阻/電容」、「可於基板底面搭載外部被動元件」等三項特點。
因此，可將1,000 pF以上大容量電容、1 Ω以下低阻抗電感，以及運算放大器IC、電源IC等整合於單一封裝。此外，封裝外形採用既有量產規格，可沿用現有封裝設備，將能有助於降低導入門檻。目前日清紡微電子已利用Si-MB試作視窗比較器(Window Comparator)，整合2個比較器IC、基板內電阻及底面晶片電阻，證實相較於一般印刷電路板方式可以大幅縮減封裝面積，展現其在高密度、異質元件整合及小型化電子模組的應用潛力。