在薄膜電晶體液晶顯示器當中，為了增加開口率，其方法是將ITO(Indium Tin Oxide)畫素電極面積增加，且與閘極電路及源極/ 汲極電路重疊，可以使得開口率增加10~20% 左右，但是在一般薄膜電晶體元件當中，通常以SiNx 薄膜當作介電層絕緣，SiNx薄膜具有較高的介電常數，因此在畫素電極與閘極電路及源極/汲極電路重疊部份會產生較高之寄生電容，因而會產生Cross-talk 、Feedthrough 效應，另一原因是SiNx薄膜無法將電路平坦化及沉積較高厚度之薄膜，因此使用低介電常數有機光阻來解決SiNx 薄膜之缺點。在此實驗當中將介電絕緣保護層SiNx 從3000Å 減少到500Å，加上厚度為1.5µm 有機光阻平坦層可以得到與一般薄膜電晶體結構相同電性且增加其開口率，其電性量測結果如下：(1)遷移率0.52 cm2/V.s、(2)臨界電壓(Vth) 3.59 V、(3)導通電流(Ion) 5.212 µA 、(4)漏電流(Ioff) 5.659 pA 、(5)開關電流比(Ion / Ioff ratio) 大於106 、(6)次臨界擺幅 0.8 V/Decade 。