本文乃論述三維晶片系統構裝之可行性，研究重點著重於具矽穿孔(Through Silicon Via)、重佈線路層(Redistribution Layer)、整合被動元件(Integrated Passive Device)矽載板之設計、製程開發、組裝/非破壞檢測，以及其熱模擬與量測結果。本研究載具為一厚度100 μm之矽載板，其內具有直徑15 μm 的矽穿孔，而此矽載板內則製作應力感測元件(Stress Sensor)及矽穿孔陣列型式(TSV-matrix Type)之整合被動元件。堆疊於此矽載板之上的晶片則有兩種：一為厚度50 μm 且具直徑10 μm 矽穿孔的薄晶片，其功能為量測此晶片堆疊體的電訊效能；另一則為厚度100 μm且具直徑15 μm矽穿孔的晶片，其功能為量測此晶片堆疊相關的熱管理問題。堆疊於此矽載板上的晶片共有六顆，一為二顆僅單層堆疊的晶片，另一則為四層堆疊的晶片，本文將針對該堆疊晶片組裝製程做一介紹。