可用於三維晶片系統構裝TSV/RDL/IPD矽載板之製作及組裝製程

刊登日期:2012/10/5
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本文乃論述三維晶片系統構裝之可行性,研究重點著重於具矽穿孔(Through Silicon Via)、重佈線路層(Redistribution Layer)、整合被動元件(Integrated Passive Device)矽載板之設計、製程開發、組裝/非破壞檢測,以及其熱模擬與量測結果。本研究載具為一厚度100 μm之矽載板,其內具有直徑15 μm 的矽穿孔,而此矽載板內則製作應力感測元件(Stress Sensor)及矽穿孔陣列型式(TSV-matrix Type)之整合被動元件。堆疊於此矽載板之上的晶片則有兩種:一為厚度50 μm 且具直徑10 μm 矽穿孔的薄晶片,其功能為量測此晶片堆疊體的電訊效能;另一則為厚度100 μm且具直徑15 μm矽穿孔的晶片,其功能為量測此晶片堆疊相關的熱管理問題。堆疊於此矽載板上的晶片共有六顆,一為二顆僅單層堆疊的晶片,另一則為四層堆疊的晶片,本文將針對該堆疊晶片組裝製程做一介紹。


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