日本田中貴金屬工業利用旗下金-金接合用低溫燒成膏材「AuRoFUSE」，建立了一項適用於高密度封裝之金粒子接合技術。「AuRoFUSE」僅由次微米(Submicron)大小的金粒子與溶劑組成，除了具有低電阻、高熱傳導率等特性之外，同時也是一項可以在低溫下實現金屬接合的材料。新技術透過使用「AuRoFUSE preform」(乾燥體)，以20 µm尺寸實現了間隙4 µm的窄間距封裝，並具有承受實際使用的強度與化學穩定性，以及封裝後的高可靠性。
此次確立的技術係於接合前讓膏材乾燥，消除其流動性，進而可以抑制橫向擴散，實現高密度安裝。再者，由於具有多孔質結構，因此即使是在電極之間存在高度差、基板翹曲或厚度有所差異等容易變形的狀況亦可予以接合。