東北大學的研發團隊製作出採用微小石墨(Graphite)電極的零件與迴路，成功以石墨烯(Graphene)元件實現名為高頻反射量測的高速讀取手法，並實際測出量子傳導狀態。另外透過數值計算，呈現該手法做出的位元讀取之精準度，並展現帶來改變的零件構造。
石墨烯由於優異的物性、量子力學狀態下的長壽命等優勢，可望做為量子電腦的基本元素—量子位元(Quantum Bit)的材料。而讀取量子位元狀態的手法之一是使用量子位元電荷儀，為了一次即高速、精準地測出量子位元的狀態，必須高速地讀取出電荷儀的傳導度，為此採用高頻反射量測法，然而就高頻反射量測技術來說，既有研究多數以半導體量子位元為主。為了實現以高頻反射量測法讀取出量子位元之目的，必須做出滿足下述兩條件之零件與量測迴路：①降低寄生容量，讓高頻訊號能充分施加於零件上。②電荷儀在高感度量子化傳導度附近，成立阻抗(impedance)整合。
新技術採用絕緣矽基板，背閘(Back Gate)極採用了微小石墨烯電極配置於雙層石墨烯正下方之構造，以取代基板電極。接著將製作好的零件裝入共振迴路，測量高頻訊號的反射特性，閘極的施加促使石墨烯的傳導度有所變化，隨著變化反射特性因此可測得明確的變化。此外，亦確認到量子化傳導度附近的反射率為零，符合阻抗整合之條件。當接近這條件時，對比傳導度變化，反射率會有大幅度的變化，因此可實現高感度的讀取。另外，研發團隊亦觀測了與量子點(Quantum Dot)形成相關的電氣傳導現象「庫侖鑽石(Coulomb Diamond)」，證實新技術同樣適用於量子點的傳導量測。
最後，利用測得的傳導．雜訊特性，評鑑新零件做為電荷儀時的讀取精度狀況。結果發現，將電荷儀配置在量子點的正上方或正下方(而非左右側)，使兩者靠近至原子等級的距離，讀取速度與精準度呈現大幅度的改善。由此可知電荷儀的垂直配置構造，同時也是積極發揮2D材料本身構造，實現高感度的電荷儀。新技術可望成為石墨烯等的2D材料之量子位元開發、物性探索之基盤，對於量子電腦等次世代零件的開發帶來貢獻。