隨著IoT、人工智能等研究的迅速發展，電子機器消耗電力增加的問題也日漸受到大眾的關切。日本東北大學深見俊輔准教授發表了一項嶄新的磁記憶體（Magnetic Memory）研究，預期未來能夠實現 CPU 的消耗電力減少至 1/100 的目標。 東北大學電氣通信研究所在自旋電子學（Spintronics）領域是世界首屈一指的研究單位，深見准教授即在此進行利用電子磁石自旋（Spin）特性的半導體元素開發，並成功研發出 SOT-MRAM 磁記憶體。SOT-MRAM 係將能讓自旋朝同一方向呈現的強磁體置於因自旋方向不一而無法整體顯示磁性的非磁性體上，通以電流即能生成朝上的自旋流。自旋流會將強磁體中的元素自旋方向反轉，利用此原理即可實現極低消耗電力的磁記憶體。 SOT-MRAM 的性能評價方面，具有與 CPU 內的靜態隨機存取記憶體（Static Random Access Memory；SRAM）同等級的高速運作效能，若以 SOT-MRAM 置換，則可省下 SRAM 資料保存必須的電流，而達到大幅節能的目標。 資料來源: 日經產業新聞 / 材料世界網編譯 加入會員 分享 轉寄 聯絡我們 延伸閱讀 奈米磁性體與自旋電晶體 下世代記憶體先鋒–磁記憶體 磁性記憶體發展演進簡介 磁性隨機存取記憶體的發展過程與未來趨勢 自旋記憶體發展從STT-MRAM到VCMRAM 熱門閱讀 鋼鐵產業低碳製程技術發展趨勢 Ga2O3功率元件於電動車應用的發展(上) 高安全鋰電池材料與技術 固態鋰離子電池技術 聚焦二氧化碳再利用，推動脫化石資源依賴 相關廠商 金屬3D列印服務平台 大東樹脂化學股份有限公司 銀品科技股份有限公司 桂鼎科技股份有限公司 里華科技股份有限公司 正越企業有限公司