日本三菱電機於日前發表，開發了一項電力耗損全球最小之碳化矽功率半導體(SiC Power Semiconductors)元件，與既有構造之碳化矽(SiC)相比，電力耗損減少20%以上，將可望有助於實現電力電子機器的高可靠性與節能。目前正在進行元件可靠性與模組化評估，預計最快可在2020年達到實用化之目標。
三菱電機在一般單一構造組成的源極區內設置了源極電阻控制區，降低了搭載機器在短路發生時的電流，並延長了短路容許時間，因此抑制了功率半導體元件因瞬態過壓而受到的損害。相對於一般構造之碳化矽金屬氧化物半導體場效電晶體(SiC-MOSFET)，在相同短路容許時間內，室溫下元件的離子電阻減低了40%，並實現了20%以上電力的低耗損。除了可適用於各種SiC-MOSFET之外，透過與SiC功率半導體之短路保護回路技術的併用，將可實現短路時的安全保護。