■ 技術概要
化合物半導体材料は、ワイドバンドギャップ、高出力密度、高耐圧、低電力損失、優れた放熱特性などを有している。主な応用分野として、光電センサー、EV 用パワーモジュール、高周波通信向けRF 部品・モジュールなどが挙げられる。また、グラファイト表面へSiC コーティングを施すことで、CVD-SiC 部材は高いプラズマ耐食性、耐熱衝撃性、高熱伝導性を備えるとともに、パーティクル汚染を低減できる。このため、CVD-SiC は化合物半導体製造プロセス用部材として広く利用されている。
■ CVD-SiC コア技術
■ 技術仕様
▶ コーティング対応径：最大 20 cm
▶ SiCコーティング膜厚：100 μm 以上
▶ SiCコーティング結晶構造：3C-SiC
▶ SiCコーティング硬度：15 GPa以上
■ 応用分野
▶ SiCコーティングは、高硬度、耐熱性、耐酸化性、耐腐食性、高熱伝導性を有する。
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Material and Chemical Research Laboratories
Dept. of Advanced Silicon Carbide Coating Technology and Application(JA00)
Jin-Bao Wu
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