金属配位型ALD 前駆体
■ 技術特徴
▶ ナノスケール領域において、ルテニウム（Ru）は銅（Cu）より低い電気抵抗率を示し、先端半導体ノード向けCu 配線代替材料
として有望視されている。
▶ Ru 配線は積層膜中で拡散しにくく、拡散防止層（Barrier Layer）が不要である。
▶ ALD装置に対応した Ru ALD前駆体シリーズを開発し、薄膜成膜プロセスへ適用可能である。
▶ 配位分子構造設計および配位子修飾技術により、安定した配位子環境を実現した。
▶ 分子量と立体障害効果を最適化することで、低沸点・低蒸発温度を有するRu ALD 前駆体を開発し、台湾特許を取得済みである。
■ 金属電気特性比較
■ 応用プラットフォーム
■ 応用分野
▶ 先端半導体プロセス
▶ オプトエレクトロニクス材料
ALD プロセスによる成膜
■ 技術革新
半導体の微細化進展に伴い、高アスペクト比構造に対して高均一なナノスケール薄膜を形成可能なALD（Atomic Layer Deposition）の重要性が一層高まっている。従来世代向け材料は先端ノードへの適用に課題を抱えており、ALD 前駆体合成技術は海外メーカー主導であるため、国内サプライチェーン強化が求められている。当技術では、5 nm 以下プロセス向け金属膜、パッシベーション膜、高誘電率（High-k）膜、高移動度膜、およびTGV プロセス用薄膜に対応したALD 前駆体合成・成膜技術を開発している。材料開発に加え、プラズマ支援ALD（PEALD）装置を活用することで、低温成膜プロセスを実現している。高アスペクト比基板に対、Al2O3、AlN、SiN 薄膜による優れた防湿・防酸素バリア封止性能を提供する。
■ 産業インパクト
▶ 2025 年の ALD 前駆体市場規模は約 19 億米ドル、年平均成長率（CAGR）は約 9％と予測されている。特に、高誘電率膜および高ア
スペクト比基板向け前駆体市場は最も成長が期待される分野であり、ALD 前駆体合成技術の確立は戦略的重要性を有する。
■ 応用分野
▶ 半導体・オプトエレクトロニクスデバイス向け防湿・防酸素バリア膜（Al2O3、AlN、GaN、SiO2、SiN など）
▶ 高電子移動度薄膜（MOx など）
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Material and Chemical Research Laboratories
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