日本爾必達公司(Elpida Memory, Inc.)於日前發表使用目前主流電路線寬65奈米之製程技術，成功開發出超小型之DRAM。藉由充分利用電路設計技術，從直徑300釐米的矽晶圓(Silicon wafer)中所能取得之晶片數量，較以往的產品增加達25%之水準。爾必達於其主力的廣島工廠(廣島縣東廣島市)導入，目標是2010年第一季開始量產。
爾必達開發的是「65奈米XS(extra-shrink，超小型)版本」、稱為DDR3的尖端商品，其容量達1GB，此為可應用於電腦、伺服器等方面之通用DRAM。新產品的晶片尺寸比一般線寬65奈米的產品體積還要小，所以每片晶圓可取得的晶片數量也因此增加。不過實際的數量和尺寸方面，因為競爭上的理由，現階段還無法公開宣布。
如果要生產50奈米的產品，必須使用昂貴的最先進曝光裝置；但是65奈米XS版能夠以原有的曝光設備生產，在減少投資的同時又能夠提升生產效率。根據爾必達表示，新晶片的價格競爭力可與50奈米產品不相上下。
300釐米的矽晶圓於廣島工廠的月產能為12萬5千片，其中大部分都是65奈米產品；爾必達以充分利用設計技術的方式來與資本最雄厚、屬業界頂尖的韓國三星電子相互抗衡。