日本Toray Research Center新開發了一項適用於先進半導體元件絕緣材料的缺陷檢測技術。Toray將電子自旋共振法(Electron Spin Resonance)予以改良，可在奈米等級的極薄膜中檢測出薄膜材料內的電子捕獲缺陷，並確立了一項膜厚方向之定量化分析手法。新技術可望適用於邏輯、NAND、DRAM等記憶體的材料製程評估。
電子自旋共振法係利用缺陷吸收微波之物理現象的分析方法，由於測量靈敏度或基板產生的雜訊，一般需要100奈米以上的膜厚。Toray則建立了一種可以檢測微弱訊號的新測量方法，將僅分離膜源訊號的分析技術結合利用化學溶液讓膜薄化但不損壞膜的前處理技術，進而實現了與利用現有設備與實際元件同等程度的奈米級缺陷分析。
另在實證實驗中，透過以原子層積層法製成的2奈米氮化矽(SiN)薄膜確認了新技術的有效性。此外，透過18奈米SiN重複進行前處理與測量，確認可以評估膜厚度方向上的缺陷量分佈。