日本物質材料研究機構(NIMS)開發出世界上第一個利用鑽石n型通道(N-type Channel)動作之「金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)」。此項研究對於實現單晶片整合(Monolithic Integration)所需之耐環境性互補型金屬氧化物半導體(CMOS)積體電路或受矚目的鑽石功率電子應用，將會是一項重要的成果。
NIMS以其高品質單晶n型鑽石半導體生長技術為基礎，開發了n型通道鑽石MOSFET。研究團隊將具有原子級平坦之低濃度磷摻雜平台，成功生長高品質n型鑽石結晶做為通道層的MOSFET結構中，以高濃度磷摻雜的鑽石做為源極與汲極之接觸層。藉此大幅地降低了接觸電阻，並確認了n型通道的電晶體特性。
透過MOSFET動作調查，發現藉由施加在柵極電極的電壓，可以控制源極與汲極(n+層)接觸之間通道中流動的電流(汲極電流)，且根據其極性，確認了世界首次的電子(n型)傳導性。
汲極電流從室溫到300℃增加了近4位數，而電晶體性能的重要指標－場效移動率在300℃時展現出約150 cm2/V·sec的高數值。與相同溫度範圍內的其他寬能隙半導體n型通道MOSFET移動率相比，亦具有高數值表現。
此外，在高頻動作方面，在300°C的高溫下實現了微秒級的開關速度。透過加寬閘極振幅，通道的電導率增加，將可望實現更高速的開關。此次的研究成果可望實現低損耗、輕量化、耐環境的CMOS積體電路，應用於節能功率電子、自旋電子、單晶片整合微機電系統(MEMS)感測器等領域。