日本住友化學已確立了功率元件用4吋氮化鎵(GaN)基板之量產技術，預計今年開始量產，並將推出垂直型GaN(GaN on GaN)提案。由於元件製造商的生產設備以晶圓直徑6～8吋為主流，住友化學也計畫2024年內開始供應6吋晶圓樣品。住友化學的GaN基板是利用有機金屬化學氣相沉積法(MOCVD)在藍寶石基板上形成薄膜，並於其上部沉積鈦膜而製成。其獨特之處在於透過在爐內加熱形成基礎基板，然後在結晶生長爐中以氫化物氣相磊晶法(HVPE)製造厚膜GaN。目前必要的量產設備已準備就緒，住友化學亦正在與客戶朝向實用化展開具體安排。
目前市場主流的水平型GaN-on-Si架構由於電流僅在元件表面流動，電壓亦受限，而垂直型GaN on GaN允許電流流通整體，將可促進高功率與小型化。住友化學致力於減少妨礙結晶內電子移動的雜質，其4吋基板實現了在室溫下1,480 cm2/Vs的電子遷移率，低溫條件下則達到14,300 cm2/Vs，在各條件下均達到了世界最高水準。另一方面，住友化學將自今年起在北美展開利用於車載LiDAR以及產業、民生用3D感測光源之垂直共振腔面射型雷射(VCSEL)元件用砷化鎵(GaAs)磊晶晶圓的生產。