日本產業技術總合研究所(產總研)奈米自旋電子研究中心開發出製作金屬磁石材料的磁化反轉新技術。研究人員發現，利用高頻電壓能降低磁化反轉所需之磁場至兩成以下（磁化反轉輔助）。耗電量僅及現有降低耗電技術的數十分之一。該發現將促成磁記錄或非揮發固態磁記憶體的高密度化與低耗電化。
磁記錄是一種利用材料的磁性特質，將資料儲存在磁性媒介上的技術。為了達到小體積化與大容量化的目的，必須使用磁異方性材料。該技術的問題是磁化反轉所需之磁能愈大就愈難覆寫資料。
現有的磁化反轉輔助技術中，較普遍的一種是由微波引發磁場歲差運動的微波輔助磁化反轉技術，唯其缺點為需消耗大電流。而使用新的技術，以1 GHz程度的高頻電壓就能引發磁場的歲差運動。使用穿隧磁阻元件可望將無用功耗控制在0.1 毫安培(mA)以下，促進磁化反轉。
資料來源: 化學工業日報 / 材料世界網編譯