日本企業POWDEC公司發表將致力於分極超接面(super junction)氮化鎵(GaN)動力電晶體實用化目標。研究團隊目前已完成在150mm矽基板上製作耐壓600伏特、飽和電流10安培以上元件之量產化技術開發，2014年預計進行於200mm矽基板、GaN膜外延生長(Epitaxial Growth)製程之技術開發，以邁入2015年實用化目標階段。
所謂分極超接面構造為GaN電晶體之特徵，即在高電壓動作下，抑制吸極電流(drain current)減少之電流崩潰(current collapse)現象時而不需要場效電板(Field plate)結構。該公司計畫在2015年內達到耐壓1200伏特之超級元件實用化與2016年內製作耐壓3000伏特、飽和電流50安培以上元件之目標。
資料來源：化學工業日報/材料世界網編譯